FDD1600N10ALZD参数：BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 3.5A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.61nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 50V功率 - 最大值：14.9W安装类型：表面贴装封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD供应商器件封装：TO-252
