FDD306P参数：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@6.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1290pF@6V功率-最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252-3
FAIRCTO-252(DPAK)2023+9600全新原厂原装现货
