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FDD3680

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FDD3680-NL 优势库存
FAIRC
TO-252(DPAK)
2023+
9600
全新原厂原装现货
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FDD3680 优势库存
FAI
TO252
2023+
2819
原装现货，价格优势
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2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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FAIRCHILD
TO-252
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FDD3680
FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FDD3680-NL
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
25000
品质保证,价格优惠
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FDD3680-NL
FAIRCHILD
TO-252
2023+
12437
工厂配单，价格优势
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FDD3680-NL
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
2131
全新原装正品特价优惠
FDD3680
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全新原装进口特价
FDD3680
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优势品牌 ，现货
2023+
10+
￥50000
相关型号： FDD3672_F085 FDD3672 FDD3670 FDD3580 FDD3570 FDD3510H

FDD3680
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FDD3680参数：MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：25A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：46毫欧@6.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：53nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1735pF@50V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252

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