FDD4141参数:MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNPackaging: DpakPkg01/Apr/2008标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):12.3毫欧@12.7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2775pF@20V功率-最大值:2.4W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252