FDD4N60NZ参数：MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：UniFET-II™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.7A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V功率 - 最大值：114W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
