FDD4141参数：MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNPackaging： DpakPkg01/Apr/2008标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.3毫欧@12.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2775pF@20V功率-最大值：2.4W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252
