FDFC3N108参数:MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:二极管(隔离式)漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):70毫欧@3A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):355pF@10V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOT