FDFME2P823ZT参数：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 10V功率 - 最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：6-UMLP，6-MicroFET?供应商器件封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
