FDFME3N311ZT参数：MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：299 毫欧 @ 1.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：75pF @ 15V功率 - 最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
