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FDG326P

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相关型号： FDG316P FDG315N FDG314P FDG313N_D87Z FDG313N FDG312P

FDG326P
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FDG326P参数：MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：467pF@10V
功率-最大值：480mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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