FDG361N参数：MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：600mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：500毫欧@600mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：153pF@50V功率-最大值：380mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
