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FDG6304

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FDG6304P 优势库存
FAI
SOT363
2023+
7456
原装现货，价格优势
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FDG6304P-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
10278
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FDG6304P
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
29557
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FDG6304P
FairchildSemic..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
27350
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FDG6304P-D87Z
FairchildSemic..
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2023+
1250
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FDG6304P-D87Z
FairchildSemic..
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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FDG6304P_D87Z
onsemi
SC-88（SC-70-..
2023+
500
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FDG6304P
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FDG6304P-F169
onsemi
SC-70-6
2023+
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FDG6304P-X
onsemi
-
2023+
500
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FDG6304PNL
FSC
SOT363
2023+
46278
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FDG6304
FAIR
SOT-363
2023+
91278
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FDG6304P
FAIRCHILD
SOT363
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
FDG6304P-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
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原装现货
相关型号： FDG6303N_D87Z FDG6303N FDG6302P FDG6301N_F085 FDG6301N_D87Z FDG6301N

FDG6304P
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FDG6304P参数：IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：410mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.1欧姆@410mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：62pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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