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FDG6321C

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FDG6321C 优势库存
FAIRCHILD
SOT323-6
2023+
3204
原装现货，价格优势
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FDG6321C-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
5347
原装现货,特价
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FDG6321C
FAIRCHILD
SC70-6
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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FDG6321C
FairchildSemic..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
22896
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FDG6321C
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SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FDG6321C-F169
onsemi
SC-70-6
2023+
500
全新原装现货质量保证
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FDG6321C(21)
FSC
SOT363
2023+
18102
全新进口原装现货,保证质量
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FDG6321C(PBFREE)
FSC
SOT23
2023+
11557
工厂配单，价格优势
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FDG6321C
FAIRCHILD
SOT23-6
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FDG6321C-NL
FAIRCHILD
10000
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FDG6321C-NL
FSC
全新原装现货
2023+
3000
FDG6321C-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
6000
原装现货
相关型号： FDG6320C_D87Z FDG6320C FDG6318PZ FDG6318P FDG6317NZ FDG6316P

FDG6321C
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FDG6321C参数：MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA，410mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@500mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.3nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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