FDI9406_F085参数：MOSF N CH 40V 110A TO262AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：400系列：PowerTrench®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：110A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：138nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7710pF @ 25V功率 - 最大值：176W安装类型：通孔封装：TO-262-3（直引线）供应商器件封装：TO-262AB
