FDL100N50F参数：MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：25系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：238nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：12000pF@25V功率-最大值：2500W安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA供应商器件封装：TO-264