FDM3300NZ参数:MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: MoldCompound17/March/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):23毫欧@10A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1610pF@10V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-MLP,Power33供应商器件封装:Power33