FDM606P参数：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 10V功率 - 最大值：1.92W安装类型：表面贴装封装：8-MLP，MicroFET?供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x2）
