FDMB3800N参数：MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：465pF @ 15V功率 - 最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：8-MLP，MicroFET?供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
