FDMB668P参数：MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices11/Mar/2013标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@6.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：59nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2085pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：8-MLP，MicroFET?供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
