FDMC15N06参数：MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V功率 - 最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3）
