FDMC2523P参数:MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound17/March/2008标准包装:3,000系列:QFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):150V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.5欧姆@1.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):270pF@25V功率-最大值:42W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:8-Power33(3x3)