FDMC6890NZ参数:MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V功率 - 最大值:1.92W安装类型:表面贴装封装:6-MLP,Power33供应商器件封装:MicroFET 3x3mm