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FDMC8200

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FDMC8200
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FDMC8200参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
特色产品： FDMC8200DualMOSFETforSynchronousBuckDesigns
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A，12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@15V
功率-最大值：700mW，900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）

FDMC8200

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