FDMC8200S参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A，8.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：660pF @ 15V功率 - 最大值：700mW， 1W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
