FDMC86106LZ参数：MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： FDMC86106LZ13/Jun/2013标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：103毫欧@3.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：310pF@50V功率-最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
