FDMC89521L参数：MOSF DUAL N CH 60V 8.2A POWER33
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（非对称桥）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 8.2A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1635pF @ 30V功率 - 最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
