FDMQ86530L参数：MOSFET N CH 60V 8A MLP4.5X5
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17.5 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2295pF @ 30V功率 - 最大值：1.9W安装类型：表面贴装封装：12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：*
