FDMS3660S参数：MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A，30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1765pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：Power56
