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FDN303

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FDN303N-NL 优势库存
FAIRCHILD
SOT23
2023+
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原装现货，价格优势
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FDN303N 优势库存
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FDN303 优势库存
ROHM
QFP
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5356
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ROHM
TQFP-52P
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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FDN303N-NL
FAIRCHILD
SOT-23
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16278
全新进口原装现货,保证质量
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FDN303N-NL
FAIRCHILD
SOT23
2023+
300000
品质保证,价格优惠
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FDN303N
FAIRCHILD
SOT-23
2023+
300000
品质保证,价格优惠
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FDN303N
FAIRCHILD
SOT-23
2023+
5557
工厂配单，价格优势
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FDN303
FAIRCHILD
TO263
2023+
2131
全新原装现货，特价热卖
FDN303
ROH
QFP
2023+
2500
原装进口.现货库存
FDN303N-NL
FAIRCHILD
SOT-23
2023+
6000
原装现货
FDN303
ROHM
优势库存，原装现货
2023+
00+
￥3721深圳
相关型号： FDN302P FDMS9620S FDMS9600S FDMS8888 FDMS8880 FDMS8848NZ

FDN302P
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FDN302P参数：MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@2.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：882pF@10V
功率-最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-SSOT

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