FDN306P参数：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@2.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1138pF@6V功率-最大值：460mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-SSOT
