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FDN360P

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相关型号： FDN359BN_F095 FDN359BN FDN359AN FDN358P FDN357N FDN352AP

FDN360P
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FDN360P参数：MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：298pF@15V
功率-最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-SSOT

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