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FDN361BN

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相关型号： FDN361AN FDN360P FDN359BN_F095 FDN359BN FDN359AN FDN358P

FDN361BN
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FDN361BN参数：MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@1.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：193pF@15V
功率-最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-SSOT

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