FDP5N50参数:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices14/Mar/2011标准包装:50系列:UniFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.4欧姆@2.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):640pF@25V功率-最大值:85W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220