FDP8870参数:MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:50系列:PowerTrench®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):156A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.1毫欧@35A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):132nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):5200pF@15V功率-最大值:160W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB