FDPC8011S参数：MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A，27A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1240pF @ 13V功率 - 最大值：800mW，900mW安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33
