FDS2582参数：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：66毫欧@4.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1290pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
