FDS4465参数：MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@13.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8237pF@10V功率-最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
