FDS6576参数：MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@11A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4044pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
