FDS6681Z参数:MOSFET P-CH 30V 20A SO-8
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.6毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):260nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):7540pF@15V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:SO-8