FDS6930B参数:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):38毫欧@5.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.8nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):412pF@15V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN