FDS6990AS参数:MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:2,500系列:PowerTrench®,SyncFET™包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):22毫欧@7.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):550pF@15V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN