FDS6993参数:MOSFET P-CH DUAL 30/12V 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V,12V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A,6.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 4.3A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):530pF @ 15V功率 - 最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC N