FDS7064N参数:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: MoldCompound27/March/2008标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):7.5毫欧@16A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):48nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):3355pF@15V功率-最大值:3W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)裸露焊盘供应商器件封装:8-SOIC