FDS7096N3参数:MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification: MoldCompound27/March/2008标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):9毫欧@14A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1587pF@15V功率-最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN