FDS7288N3参数:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification: MoldCompound27/March/2008标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.5毫欧@20.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):69nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):3300pF@15V功率-最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)裸露焊盘供应商器件封装:8-SOIC