FDS86140参数:MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.8 毫欧 @ 11.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2580pF @ 50V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO