FDS8926A参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 5.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：SO-8
