FDS8962C参数：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A，5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：575pF@15V功率-最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
