FDS8978参数:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007标准包装:2,500系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):18毫欧@7.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1270pF@15V功率-最大值:1.6W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO