FDT434P参数:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:4,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,2.5V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):50毫欧@6A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):19nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1187pF@10V功率-最大值:1.1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-3